Tại cuộc họp báo cáo tài chính hàng quý gần đây của công ty, TSMC đã tiết lộ các kế hoạch liên quan cho dây chuyền sản xuất quy trình 1nm trở xuống. Công ty có kế hoạch xây dựng nhà máy sản xuất tấm wafer A10 ở Đài Nam, Đài Loan, Trung Quốc. Các khu vực sản xuất từ P1 đến P4 sẽ được sử dụng để phát triển các công nghệ xử lý tiên tiến từ 1nm trở xuống. Sản xuất thử nghiệm dự kiến sẽ bắt đầu vào năm 2029, với công suất sản xuất hàng tháng ban đầu là 5.000 tấm wafer.
Đối với nhà máy Fab 21 ở Phoenix, Arizona, các nhà máy P3, P4 và P5 trong tương lai sẽ tương ứng với quy trình 2nm, A16 và A14. TSMC cũng đã lên kế hoạch xây dựng 6 nhà máy gần khu vực này với tổng số 11 nhà máy sản xuất tấm bán dẫn.
Trong số đó, nhà máy đóng gói tiên tiến đầu tiên sẽ khởi công xây dựng vào nửa cuối năm nay và dự kiến khai trương vào năm 2028. Ban đầu, nhà máy sẽ áp dụng các công nghệ đóng gói tiên tiến SoIC và CoWoS.
TSMC cũng xác nhận rằng thế hệ tiếp theo của công nghệ đóng gói tiên tiến là CoPoS, giải pháp tiến hóa "dựa trên bảng điều khiển" của CoWoS. Tuy nhiên, việc phát triển công nghệ này khó khăn hơn dự kiến và mất nhiều thời gian hơn so với ước tính bên ngoài khiến thái độ của TSMC trở nên thận trọng hơn.
Các bên liên quan trong chuỗi cung ứng đã chỉ ra rằng những điểm nghẽn mà CoPoS hiện đang gặp phải chủ yếu tập trung vào các vấn đề như "sự đồng nhất" và "sự cong vênh".
Đáp lại thông báo gần đây của Intel về việc tham gia dự án TeraFab do Elon Musk công bố trước đó, TSMC cũng đã phản hồi.
Wei Zhejia, Chủ tịch kiêm Giám đốc điều hành của TSMC, cho biết TSMC và Intel là những đối thủ mạnh và sẽ không bao giờ đánh giá thấp nhau. Tuy nhiên, không có con đường tắt nào trong ngành đúc và các quy tắc cơ bản của trò chơi sẽ không bao giờ thay đổi.
