Qualcomm đang hợp tác với công ty dẫn đầu về DRAM trong nước là Changxin Memory (CXMT) để phát triển các giải pháp DRAM di động tùy chỉnh cho điện thoại thông minh. Có thông tin cho rằng DRAM tùy chỉnh này dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm 2026 và ban đầu sẽ được cung cấp cho điện thoại thông minh thương hiệu Trung Quốc.
Trên thực tế, số phận của Qualcomm và Changxin Memory đã được báo trước. Vào tháng 2 năm nay, Qualcomm tiết lộ rằng Changxin Memory là một trong những “nhà cung cấp đầu tiên đạt được chứng nhận cung cấp bộ nhớ của Qualcomm”.
Nền tảng cốt lõi của sự hợp tác này là DRAM điện thoại di động toàn cầu đang trải qua một cuộc khủng hoảng chưa từng có.
Để đáp ứng nhu cầu lớn về bộ nhớ băng thông cao (HBM) trong ngành AI, các nhà sản xuất DRAM lớn như Samsung, SK Hynix và Micron đã chuyển năng lực sản xuất sang HBM, khiến nguồn cung DRAM di động truyền thống giảm mạnh.
Dữ liệu thị trường cho thấy giá hợp đồng DRAM dành cho điện thoại di động trong quý 1 năm 2026 đã tăng 80%-95% so với quý trước. Trong danh mục vật liệu dành cho điện thoại di động hiện nay, chi phí lưu trữ đã ngốn hết chi phí của toàn bộ chiếc máy.
Lấy điện thoại di động cấp thấp làm ví dụ, DRAM đã chiếm 35% tổng hóa đơn vật liệu, cộng thêm 19% bộ nhớ flash NAND, cả hai chiếm tới 54%.
Trong cơ cấu chi phí của một chiếc máy nghìn nhân dân tệ, chỉ riêng bộ nhớ + bộ lưu trữ đã ngốn hơn một nửa ngân sách. Các nhà sản xuất điện thoại di động không có lối thoát.
Áp lực chi phí này đã được truyền đến thị trường cuối cùng. Xiaomi, OPPO, vivo, Honor và các thương hiệu khác đã liên tiếp tăng giá nhiều mẫu máy từ trung cấp đến bình dân kể từ tháng 3 năm nay, trong đó một số mẫu tăng hơn 8%.
Trong khi đó, Qualcomm và MediaTek buộc phải phản hồi. MediaTek và Qualcomm đã đồng loạt giảm số lượng bộ xử lý di động 4nm, với tổng sản lượng giảm từ 15 triệu đến 20 triệu chiếc, chủ yếu ở các dòng sản phẩm SoC cấp thấp và tầm trung đến cấp thấp.
Trong tình thế khó khăn này, Qualcomm đã chọn hợp tác sâu rộng với Changxin Memory.
