Intel đã thông báo vào tuần trước rằng họ sẽ tham gia dự án chip khổng lồ Terafab của Musk, tham gia vào các quy trình thiết kế, sản xuất và đóng gói chip, đồng thời giúp Terafab đạt được mục tiêu về năng lực sản xuất hàng năm là một terawatt sức mạnh tính toán. Mặc dù sự hợp tác này được coi là đôi bên cùng có lợi nhưng nó không chỉ cho phép Terafab có được công nghệ và kinh nghiệm chuyên nghiệp trong sản xuất chip mà còn cho phép bộ phận đúc chip của Intel có được nguồn khách hàng mới. Tuy nhiên, so với TSMC và Samsung Electronics, những công ty có công nghệ trưởng thành hơn, kết quả cuối cùng của Intel là giành được sự chấp thuận của Musk vẫn khiến một số người trong ngành phải suy nghĩ.
Một bài báo kỹ thuật mới nhất do Intel xuất bản có thể giải thích chìa khóa của sự hợp tác này. Vào ngày công bố mối quan hệ hợp tác, Han Wui Then, kỹ sư trưởng cấp cao tại Viện nghiên cứu công nghệ đúc của Intel, đã đăng trên một diễn đàn cộng đồng rằng Intel đã đạt được tiến bộ đột phá về chip gallium nitride.
Đột phá mới
Theo bài báo, chip gallium nitride là một chất bán dẫn hỗn hợp ổn định hơn silicon trong môi trường áp suất cao. Intel đã tìm ra cách phát triển chip gallium nitride trực tiếp trên các tấm wafer 300mm tiêu chuẩn bằng thiết bị sản xuất chất bán dẫn tiêu chuẩn, cho phép sản xuất với chi phí thấp.
Các nhà nghiên cứu cũng sử dụng quy trình làm mỏng mới gọi là cắt hạt tàng hình trước khi mài (SDBG), cho phép Intel tạo ra chip gallium nitride với độ dày đế silicon chỉ 19 micron. Để tham khảo, 1 micron bằng một phần triệu mét và 19 micron chỉ bằng 1/5 đường kính của một sợi tóc người.
Ngoài ra, Intel cũng đã tích hợp thành công các mạch điện tử công suất gali nitrit và mạch logic silicon trên cùng một con chip. Điều này có nghĩa là trong quy trình sản xuất truyền thống, vấn đề phải tách bóng bán dẫn điện khỏi mạch logic thành hai chip do kích thước quá lớn và tạo ra nhiều nhiệt và nhiễu điện đã được giải quyết, do đó tiếp tục giảm không gian chip và giảm mức tiêu thụ dòng điện.
Theo Intel, sự tích hợp này hoạt động tốt trong các thử nghiệm tiếp theo, hoạt động bình thường và duy trì độ ổn định trong điều kiện áp lực cao. Những cải tiến công nghệ này có ý nghĩa với Terafab rằng nó có thể sản xuất chip mỏng hơn và nhẹ hơn, từ đó giảm trọng lượng của tên lửa trong quá trình phóng, từ đó giảm chi phí phóng.
Ngoài việc tối ưu hóa hiệu suất của bản thân chip, chip gallium nitride còn có một ưu điểm khác. Chúng có khả năng chống bức xạ tốt hơn chip silicon, điều đó có nghĩa là chúng phù hợp hơn cho các hoạt động ngoài không gian. Một trong những kịch bản ứng dụng trong tương lai của Terafab là trung tâm dữ liệu không gian.
Tuy nhiên, vẫn chưa rõ liệu Intel có trực tiếp ủy quyền cho Terafab sử dụng công nghệ gali nitride hay không, hay họ sẽ cùng SpaceX và Tesla cùng đầu tư vào dự án Terafab để phát triển công nghệ này. Và với khoản đầu tư khổng lồ vào Terafab, triển vọng lợi nhuận trong tương lai của Intel và Terafab vẫn sẽ cần một thời gian để kiểm chứng và mọi người có thể không hiểu được tác động kinh tế của dự án này cho đến vài năm sau.