Nhà sản xuất chip nhớ Trung Quốc Changxin Memory (CXMT) đã triển khai sản xuất hàng loạt bộ nhớ băng thông cao 12 lớp HBM. Việc triển khai công nghệ xếp chồng 12 lớp mang lại cho Changxin Storage khả năng thâm nhập vào lĩnh vực sản xuất phần cứng AI cao cấp. Khoảng cách công nghệ giữa các nhà sản xuất bộ lưu trữ Trung Quốc và các công ty hàng đầu Hàn Quốc tồn tại từ giai đoạn đầu phát triển ngành đang được thu hẹp đáng kể.

Changxin Storage đã đạt được bước đột phá quan trọng trong việc sản xuất hàng loạt HBM 12 lớp chỉ ba năm sau khi chính thức bước vào lĩnh vực HBM chuyên nghiệp. Khó khăn cốt lõi của việc sản xuất HBM là quá trình xếp chồng theo chiều dọc khó khăn bao gồm việc liên kết chính xác các lớp DRAM. Việc Changxin Memory làm chủ hoàn toàn công nghệ này phản ánh trực tiếp rằng hệ sinh thái bán dẫn địa phương của Trung Quốc đã đạt đến trình độ phát triển tiên tiến.

Các nhà quan sát trong ngành cho biết Samsung Electronics và SK Hynix đã thống trị thị trường HBM toàn cầu quanh năm. Khoảng cách năng lực sản xuất hiện tại giữa Changxin Memory và hai nhà lãnh đạo Hàn Quốc đã được rút ngắn xuống còn chưa đầy ba năm.

Về mặt bố trí sản xuất hàng loạt, Changxin Memory đã chọn mở rộng ảnh hưởng thị trường của mình thông qua quy mô năng lực sản xuất. Các báo cáo cho thấy công ty đã đầu tư khoảng 20% ​​tổng công suất sản xuất DRAM vào sản xuất HBM. Sau khi hoàn thành việc chuyển đổi năng lực sản xuất, năng lực sản xuất tấm wafer HBM hàng tháng của nó có thể đạt tới 60.000 tấm wafer. Hiện tại, tỷ lệ năng suất sản xuất của Changxin Memory vẫn thấp hơn so với các đối thủ Hàn Quốc. Mục tiêu cốt lõi của công ty ở giai đoạn này là đáp ứng đầy đủ nhu cầu thị trường về các sản phẩm AI trong nước, đồng thời hoạch định chiến lược thâm nhập thị trường quốc tế trong tương lai.

Để duy trì đà phát triển và mở rộng năng lực sản xuất, Changxin Storage đang có kế hoạch huy động 4,2 tỷ USD thông qua IPO. Nguồn vốn này sẽ được sử dụng để xây dựng các cơ sở sản xuất HBM mới và nâng cấp các trung tâm sản xuất DRAM hiện có.

Hiện nay công ty đang hợp tác chặt chẽ với các nhà cung cấp thiết bị trong và ngoài nước. Cơ sở hạ tầng sản xuất cốt lõi dự kiến ​​sẽ được hoàn thành vào năm 2026 và nguồn vốn cũng sẽ giúp công ty tối ưu hóa hơn nữa công nghệ liên kết và hệ thống quản lý nhiệt.

Việc ra mắt sản phẩm HBM 12 lớp lưu trữ Changxin đã mang đến áp lực cạnh tranh ngày càng tăng đối với các công ty dẫn đầu thị trường như Samsung và SK Hynix. Sau này phải đẩy nhanh sự tiến bộ của các công nghệ sản xuất tiên tiến hơn để duy trì vị trí dẫn đầu trong ngành.

Các chuyên gia trong ngành dự đoán rằng giai đoạn cạnh tranh tiếp theo trong ngành lưu trữ toàn cầu sẽ tập trung vào nghiên cứu, phát triển và triển khai công nghệ liên kết lai và xếp chồng 16 lớp.