Sau khi bước sang năm 2026, hoạt động kinh doanh sản xuất chip của Samsung dường như đã đạt đến một bước ngoặt. Sự phát triển gần đây của nút quy trình 2nm và các cuộc đàm phán đơn đặt hàng của khách hàng dường như đang tiến triển rất suôn sẻ. Gần đây, có thông tin cho rằng quy trình GAA 2nm tiếp tục đạt được tiến bộ và tỷ lệ hiệu suất hiện đã tăng lên 60%, tiến gần hơn một bước tới mục tiêu 70%.
Theo báo cáo của TrendForce, Samsung đang tăng cường đầu tư vào công nghệ bán dẫn tiên tiến, nhằm hoàn thành việc phát triển các nút quy trình 1nm vào năm 2030, đạt được sản xuất hàng loạt vào năm 2030 và giành quyền thống trị thị trường công nghệ xử lý thế hệ tiếp theo. Đồng thời, Samsung cũng có kế hoạch đi sâu vào nút quy trình 2nm và mở rộng dòng quy trình phân chia khác nhau để tiếp tục giành được các khách hàng lớn.
Tại nút quy trình 1nm, Samsung dự kiến sẽ áp dụng kiến trúc bóng bán dẫn mới và giới thiệu cấu trúc bóng bán dẫn "Forksheet". Cấu trúc bóng bán dẫn GAA (Gate-All-Around) được Samsung giới thiệu từ nút tiến trình 3nm mở rộng đường dẫn hiện tại từ ba cạnh ban đầu lên bốn cạnh, tối đa hóa hiệu quả tiêu thụ điện năng. Forksheet là một sự phát triển dựa trên cơ sở này, sử dụng công nghệ tấm hình nĩa để thêm các bức tường cách điện giữa các bóng bán dẫn, nhờ đó giảm khoảng cách giữa các bóng bán dẫn. Bằng cách loại bỏ không gian không sử dụng, nhiều bóng bán dẫn hơn có thể vừa với cùng một khu vực chip.
Năm ngoái tại sự kiện SAFE 2025 ở Seoul, Hàn Quốc, Samsung đã trình diễn quy trình 2nm thế hệ thứ ba, được gọi là "SF2P+". Ngoài ra, Samsung đang phát triển một quy trình tùy chỉnh mang tên “SF2T” cho chip AI6 của Tesla. Samsung có kế hoạch bắt đầu triển khai quy trình 2nm thế hệ thứ ba, còn được gọi là SF2P, trong năm nay và ra mắt SF2P+ vào năm tới.
