Theo phương tiện truyền thông Hàn Quốc ETNEWS, nhà máy wafer Samsung Electronics NAND đặt tại Tây An đã chính thức sản xuất hàng loạt bộ nhớ flash 3D NAND V8 (xếp chồng 236 lớp). Quá trình nâng cấp này sẽ bắt đầu vào năm 2024 và sẽ hoàn tất quá trình chuyển đổi kỹ thuật dựa trên dây chuyền sản xuất NAND V6 (128 lớp) ban đầu. Nó nhằm mục đích cải thiện hiệu suất sản phẩm và hiệu quả sản xuất, đồng thời đáp ứng nhu cầu về các thiết bị lưu trữ hiệu suất cao trong kỷ nguyên AI.

Nhà máy Samsung Electronics Tây An tại Trung Quốc

Sau khi sản xuất hàng loạt V8 NAND, bước tiếp theo của nhà máy wafer Tây An của Samsung là nhắm tới V9 For xếp chồng 286 lớp NAND, các dây chuyền sản xuất liên quan sẽ được đặt tại nhà máy X2 và dự kiến sẽ hoàn thành quá trình chuyển đổi và bắt đầu sản xuất hàng loạt trong năm 2026.

Có thông tin cho rằng số lớp xếp chồng của bộ nhớ flash 3D NAND là chỉ số cốt lõi để đo lường sức mạnh kỹ thuật của các nhà sản xuất. Số lớp xếp chồng cao hơn có thể đạt được dung lượng lưu trữ chip đơn lớn hơn, hiệu suất đọc và ghi tốt hơn cũng như chi phí lưu trữ đơn vị thấp hơn và là đường đua cốt lõi trong cuộc cạnh tranh công nghệ của các nhà sản xuất bộ lưu trữ toàn cầu.

Điều đáng nói là YMTC, nhà sản xuất bộ nhớ flash NAND lớn nhất Trung Quốc, đã đạt được sản xuất hàng loạt bộ nhớ flash 294 lớp và công nghệ Xtacking4.0 do họ tự phát triển đã đẩy số lớp xếp chồng lên hơn 300 lớp.

Điều này khiến các nhà sản xuất khác ngày càng gặp khó khăn trong việc chống lại sự cạnh tranh từ các sản phẩm bộ nhớ flash dưới 200 lớp nội địa của Trung Quốc.

Trong khi cạnh tranh về công nghệ, các gã khổng lồ Hàn Quốc đang áp dụng chiến lược "bảo vệ giá". Samsung có kế hoạch giảm sản lượng tấm wafer NAND hàng năm từ 4,9 triệu tấm wafer vào năm 2025 xuống còn 4,68 triệu tấm wafer vào năm 2026 và SK Hynix cũng sẽ giảm từ 1,9 triệu tấm wafer xuống 1,7 triệu tấm wafer, giảm khoảng 10%.

Công ty nghiên cứu thị trường Omdia chỉ ra rằng động thái của nhà sản xuất Hàn Quốc nhằm ưu tiên đảm bảo năng lực sản xuất DRAM và HBM có lợi nhuận cao, đồng thời đối phó với sự cạnh tranh khốc liệt từ Bộ nhớ Yangtze trên thị trường NAND đa năng.

Về thị phần, Samsung và SK Hynix cùng nhau chiếm hơn 60% thị trường NAND toàn cầu và Yangtze Memory đã trở thành nhà sản xuất bộ nhớ flash 3D NAND lớn thứ ba trên thế giới.

Về mặt kỹ thuật, Yangtze Memory đã đạt mức hàng đầu thế giới về mật độ lưu trữ, với tỷ lệ hiệu suất liên tục vượt 90%, cải thiện đáng kể khả năng cạnh tranh về chi phí.

Về năng lực sản xuất, nhà máy Vũ Hán Giai đoạn III của Yangtze Memory dự kiến ​​sẽ được đưa vào sản xuất vào nửa cuối năm 2026, với mục tiêu năng lực sản xuất hàng tháng là 300.000 tấm wafer và năng lực sản xuất sẽ tăng gần gấp đôi trong vòng ba năm.