Intel thông báo rằng dự án lưu trữ thế hệ tiếp theo Bộ nhớ góc Z (ZAM) do SAIMEMORY, một công ty con của SoftBank, đồng thúc đẩy, đã nhận được sự lựa chọn chính thức và hỗ trợ tài chính từ Tổ chức Phát triển Công nghệ Công nghiệp và Năng lượng Mới của Nhật Bản (NEDO), đồng thời sẽ đẩy nhanh quá trình nghiên cứu và phát triển thông qua các khoản trợ cấp của chính phủ.

ZAM được coi là giải pháp thay thế tiềm năng cho bộ nhớ băng thông cao (HBM), nhằm đạt được băng thông cao hơn, dung lượng lớn hơn và mức tiêu thụ điện năng thấp hơn đáng kể, đồng thời giải quyết tình trạng thiếu bộ nhớ trong lĩnh vực AI và điện toán hiệu năng cao (HPC).

Theo thông tin mới nhất do Tập đoàn Intel Nhật Bản (Intel K.K.) và SAIMEMORY công bố, dự án ZAM đã được NEDO đưa vào kế hoạch tài trợ. Chu kỳ dự án được lên kế hoạch kéo dài khoảng 3,5 năm và sẽ tập trung vào DRAM xếp chồng thế hệ tiếp theo cho kỷ nguyên AI. Nghiên cứu và phát triển kiến ​​trúc. Kiến trúc này được đặt tên là Bộ nhớ góc Z và nhằm mục đích cung cấp một dạng bộ nhớ mới cho các trung tâm dữ liệu và các kịch bản tăng tốc AI trong bối cảnh hạn chế về mức tiêu thụ điện năng và thiết kế nhiệt ngày càng nghiêm ngặt. Hỗ trợ tài chính của NEDO sẽ giúp dự án đẩy nhanh tốc độ nghiên cứu kỹ thuật, xác minh sản xuất và xây dựng chuỗi cung ứng để tiến tới thương mại hóa quy mô lớn nhanh hơn.

Intel tuyên bố rằng công ty đã xác nhận các lộ trình khoa học và kỹ thuật cơ bản liên quan đến ZAM trong nhiều năm, bao gồm cả các thí nghiệm hợp tác tại Phòng thí nghiệm Quốc gia thuộc Bộ Năng lượng và khám phá công nghệ của Hoa Kỳ trong "Chương trình Liên kết DRAM Thế hệ Tiếp theo". Makoto Ohno, Chủ tịch Intel Nhật Bản, chỉ ra rằng việc nhận được tài trợ của NEDO lần này sẽ giúp thúc đẩy những tích lũy ban đầu này thành một quá trình triển khai toàn cầu nhanh hơn, đồng thời củng cố hơn nữa mối quan hệ đối tác công nghệ quan trọng giữa Hoa Kỳ và Nhật Bản trong vài năm tới.

Trên con đường công nghệ, các chỉ số cốt lõi được ZAM (Bộ nhớ góc Z) khóa bao gồm: giảm mức tiêu thụ điện năng khoảng 40%–50% so với các giải pháp hiện có, thiết kế xếp chồng đơn giản hơn và thân thiện với sản xuất hơn cũng như mật độ dung lượng cực cao lên tới 512GB cho một chip. Về mặt triển khai cụ thể, ZAM sử dụng nhiều lớp chip DRAM xếp chồng lên nhau. Mỗi lớp được kết nối thông qua cái gọi là cấu trúc kết nối Z-Angle và được kết nối với chip điện toán chính thông qua EMIB (cầu kết nối đa chip nhúng) bên dưới chip cơ sở để tăng băng thông và nén mức tiêu thụ điện năng cũng như độ phức tạp của việc đóng gói.

Theo kế hoạch phát triển mới, ZAM sẽ không chỉ được Intel và SAIMEMORY phát triển mà còn giới thiệu rộng rãi các đối tác công nghệ, sản xuất và chuỗi cung ứng tại Nhật Bản và quốc tế để cùng hỗ trợ sự tiến bộ của ZAM trong thiết kế, sản xuất hàng loạt và xây dựng sinh thái. Mục tiêu của dự án là cung cấp giải pháp lưu trữ tiết kiệm năng lượng và có khả năng mở rộng hơn cho các thế hệ nền tảng trong tương lai, đồng thời giải quyết các tắc nghẽn về băng thông bộ nhớ và năng lực ngày càng nổi bật trên thị trường AI và HPC hiện tại.

Điều đáng chú ý là sự ra mắt của ZAM cũng đồng nghĩa với việc Intel sẽ chính thức quay trở lại thị trường bộ nhớ với sản phẩm của chính mình sau nhiều thập kỷ. Trong giai đoạn đầu phát triển của công ty, Intel là một công ty tham gia quan trọng trong ngành bộ nhớ toàn cầu, nhưng cuối cùng đã bị các nhà sản xuất Nhật Bản loại bỏ vị trí thống trị trong cuộc cạnh tranh. Ngày nay, chính sự tham gia và hỗ trợ của các công ty và tổ chức Nhật Bản đã giúp Intel đưa thế hệ công nghệ bộ nhớ mới này thành hiện thực, một điều mang tính lịch sử.