Tòa án quận trung tâm Seoul ngày 22/4 tuyên bố một nhà nghiên cứu từng làm việc tại Samsung Electronics đã bị kết án 7 năm tù vì làm rò rỉ công nghệ bán dẫn cho một công ty Trung Quốc. Tòa án nhận thấy bị cáo chỉ được công bố họ đã vi phạm Đạo luật bảo vệ công nghệ công nghiệp. Dữ liệu anh ta rò rỉ được xác định là "công nghệ cốt lõi quốc gia" và anh ta đã âm mưu cùng những người khác để rò rỉ bí mật.
Cựu nhà nghiên cứu 56 tuổi này là một trong 10 nghi phạm bị các công tố viên Hàn Quốc truy tố vào năm ngoái vì cáo buộc rò rỉ quy trình sản xuất chip nhớ cho nhà sản xuất chip nhớ Trung Quốc Changxin Memory Technology Co., Ltd. Các nhà chức trách liên quan của Hàn Quốc vào thời điểm đó cho biết vụ việc đã giúp Trung Quốc "mở đường" trong việc phát triển bộ nhớ băng thông cao (HBM), một trong những thành phần quan trọng của điện toán trí tuệ nhân tạo. Samsung Electronics từ chối bình luận, trong khi Changxin Memory vẫn chưa phản hồi yêu cầu bình luận.
Hãng thông tấn Yonhap của Hàn Quốc đưa tin rằng sau khi rời Samsung Electronics, nhà nghiên cứu này đã gia nhập Changxin Memory cùng với một cựu giám đốc của Samsung và cung cấp công nghệ xử lý DRAM của Samsung cho công ty trong quá trình này. Theo hãng tin này, trích dẫn nguồn tin của công tố viên, bị cáo đã nhận được tổng cộng khoảng 2,9 tỷ won (khoảng 1,96 triệu USD) từ Changxin Storage trong sáu năm. Văn phòng Công tố quận trung tâm Seoul chưa đưa ra bình luận ngay lập tức khi được Reuters liên hệ.
Changxin Storage cho biết năm ngoái rằng họ có kế hoạch huy động 29,5 tỷ nhân dân tệ (khoảng 4,33 tỷ đô la Mỹ) bằng cách phát hành 10,6 tỷ cổ phiếu trong đợt chào bán cổ phiếu lần đầu ra công chúng tại Thượng Hải. Công ty cho biết số tiền thu được từ việc gây quỹ sẽ được sử dụng để nâng cấp dây chuyền sản xuất và các công nghệ liên quan nhằm mở rộng năng lực sản xuất DRAM và cải thiện mức độ quy trình. Báo cáo cũng trích dẫn tỷ giá hối đoái trong ngày và chỉ ra rằng 1 đô la Mỹ tương đương với khoảng 6,8204 nhân dân tệ, tương đương khoảng 1.477,45 won Hàn Quốc.