Gần đây, các nguồn tin tiết lộ rằng chip DRAM của Samsung dựa trên quy trình 1dnm (quy trình cấp 10nm thế hệ thứ bảy) có hiệu suất thấp hơn dự kiến trong giai đoạn sản xuất thử nghiệm. Samsung đã lên kế hoạch hoãn vô thời hạn việc sản xuất hàng loạt quy mô lớn cho đến khi tỷ lệ sản lượng đạt được mục tiêu đã đề ra. Để đạt được mục tiêu này, Samsung có thể xem xét toàn diện quy trình xử lý để cải thiện hơn nữa tỷ lệ năng suất.
Theo kế hoạch ban đầu, Samsung có kế hoạch sử dụng chip DRAM được sản xuất theo quy trình 1dnm cho HBM5E, giải pháp HBM thế hệ thứ chín.
Điều đáng chú ý là ngoài HBM4, các chip DRAM hiện tại sử dụng quy trình 1cnm cũng sẽ được sử dụng trong HBM4E và HBM5, bao gồm ba thế hệ sản phẩm HBM liên tiếp. Ngoài ra còn có tin đồn rằng Samsung có thể nâng cấp khuôn cơ bản của HBM thế hệ tiếp theo và chuyển sang quy trình 2nm tiên tiến hơn.
Hiện tại, Samsung đã đầu tư nhiều nguồn lực hơn vào chip DRAM tiến trình 1dnm và xây dựng nhà máy mới tại Hàn Quốc.
Được biết, nhà máy có diện tích bằng bốn sân bóng đá tiêu chuẩn. Ngoài việc sản xuất chip DRAM, công ty cũng sẽ đảm nhận việc đóng gói, thử nghiệm, hậu cần và kiểm soát chất lượng. Những quy trình này rất quan trọng để duy trì sản xuất ổn định.
