Samsung đã gặp phải bước thụt lùi lớn trong quá trình theo đuổi bộ nhớ cao cấp. Do tỷ lệ sản lượng của công nghệ cơ bản quan trọng D1d DRAM không đạt được mục tiêu nội bộ đặt ra nên Samsung đã quyết định hoãn vô thời hạn kế hoạch sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM5E thế hệ tiếp theo. DRAM D1d được đề cập lần này là quy trình 10 nanomet thế hệ thứ bảy của Samsung, vốn là nền tảng cốt lõi của các giải pháp HBM trong tương lai. Theo kế hoạch, công nghệ này sẽ được sử dụng trong sản phẩm HBM5E thế hệ thứ chín.

Mặc dù công nghệ này trước đây đã nhận được phê duyệt trước khi sản xuất nhưng tỷ lệ lợi nhuận vẫn tiếp tục thấp hơn mức mục tiêu, khiến lợi tức đầu tư của hoạt động thử nghiệm trở thành một vấn đề chứ chưa nói đến việc sản xuất hàng loạt quy mô lớn.

Theo những người nắm rõ tình hình nội bộ của Samsung, Samsung có kế hoạch khởi động lại sản xuất hàng loạt cho đến khi tỷ lệ sản lượng D1d đạt mức mục tiêu. Thời gian biểu phục hồi hiện tại chưa được xác định. Samsung đang xem xét lại lộ trình quy trình trong nội bộ nhằm nỗ lực cải thiện hơn nữa tỷ suất lợi nhuận.

Điều đáng chú ý là công nghệ DRAM 1c hiện có của Samsung hiện đang được sử dụng ổn định trong ba thế hệ sản phẩm HBM, bao gồm HBM4, HBM4E và HBM5.

HBM4 dự kiến ​​sẽ được ra mắt vào cuối năm nay. Nền tảng Vera Rubin của Nvidia và MI400 của AMD sẽ sử dụng HBM4, và HBM4E dự kiến ​​sẽ được sử dụng trong máy gia tốc Rubin Ultra và MI500.

HBM5 và các thiết kế tùy chỉnh trong tương lai dự kiến ​​sẽ được dòng Feynman của NVIDIA và các giải pháp khác áp dụng.

Samsung trước đây được cho là đang rút ngắn đáng kể chu kỳ phát triển HBM và chuẩn bị các giải pháp mới với tốc độ chưa từng có. Tuy nhiên, phát triển nhanh không có nghĩa là có thể trực tiếp tiến hành sản xuất hàng loạt. Chu trình sản xuất hiện đã trở thành nút thắt lớn nhất.

Đồng thời, Samsung cũng đang tăng cường năng lực sản xuất. Hãng đã đầu tư thêm nguồn lực tại Onyang, Hàn Quốc để xây dựng một nhà máy sản xuất chip quy mô lớn với diện tích tương đương 4 sân bóng đá, chuyên sản xuất các sản phẩm DRAM thế hệ tiếp theo trong đó có HBM. Nhà máy sẽ chịu trách nhiệm về các khía cạnh chính như đóng gói, thử nghiệm, hậu cần và kiểm soát chất lượng.

Đối thủ cũ của Samsung SK Hynix đã hoàn thành nghiên cứu và phát triển công nghệ DRAM D1d và đảm bảo năng suất.

Cả hai bên hiện đang cạnh tranh để giành được các đơn đặt hàng lớn từ các công ty AI hàng đầu. Bất cứ ai có thể lập kế hoạch HBM linh hoạt hơn và đạt được hoạt động R&D và sản xuất liên tục đồng thời đảm bảo năng suất và lợi tức đầu tư ổn định sẽ là người cười cuối cùng.