Chúng ta sắp bước vào quý 4 năm 2023. Các mẫu máy chủ lực của nhiều nhà sản xuất khác nhau như dòng Xiaomi 14, Samsung Galaxy S24 và iQOO 12 có thể được ra mắt trong khoảng thời gian này. Đối với các điện thoại hàng đầu Android, hiệu suất GPU của SoC di động không thể tách rời khỏi trải nghiệm chơi game. Mới đây, điểm chạy Geekbench 6 Vulkan của vi xử lý Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3 sắp ra mắt đã bị rò rỉ và hiệu suất điểm số rất ấn tượng.
Trước đó, người dùng “Revegnus” trên con chip này đã ghi được 15.434 điểm, cải thiện khoảng 50% so với khoảng 9.000-10.000 điểm mà Snapdragon 8 Gen 2 ghi được. Có vẻ như Qualcomm Hiệu suất trò chơi trên điện thoại di động Android của trại sẽ tiếp tục dẫn đầu iPhone vào năm tới.
▲Nguồn hình ảnh từ X@Reveg nus
Đánh giá từ thông tin kiến trúc SoC, Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3 sẽ được sản xuất bằng tiến trình 3nm của TSMC. Thiết kế tám lõi 1+3+2+2: một siêu lõi Arm Cortex-X4 tốc độ 3,30GH, 3 lõi lớn Cortex-A720 tốc độ 3,15GH, 2 lõi lớn Cortex-A720 tốc độ 2,96GHz, 2 lõi nhỏ Cortex-A520 tốc độ 2,27GHz và GPU là Adreno 750.
▲Nguồn hình ảnh từ Hiệu suất trên giấy của 8Gen 3 chắc chắn rất mạnh, nhưng trong nhiều trường hợp, trải nghiệm chơi game trên thiết bị di động không chỉ nhấn mạnh đến hiệu suất đỉnh cao của GPU. Khả năng tản nhiệt của điện thoại di động, tốc độ đọc của bộ nhớ, hiệu ứng hiển thị của màn hình và tối ưu hóa hệ thống đều là những yếu tố có thể ảnh hưởng trực tiếp đến trải nghiệm chơi game. Vì vậy, về hiệu năng thực tế của điện thoại di động 8Gen 3, chúng ta vẫn phải đợi cho đến khi những mẫu đầu tiên được ra mắt trước khi đánh giá thêm.