Theo báo cáo của truyền thông Hàn Quốc, ngành lưu trữ của Trung Quốc đang phát triển nhanh chóng và họ rất ngạc nhiên trước tốc độ bắt kịp. Báo cáo chỉ ra rằng Với sự hỗ trợ của các chính sách liên quan, ngành lưu trữ của Trung Quốc đã đạt được những tiến bộ vượt bậc và về bộ nhớ flash NAND, khoảng cách công nghệ với các công ty hàng đầu như Samsung và SK Hynix đã được rút ngắn xuống còn 2 năm.
Theo quan điểm của các chuyên gia Hàn Quốc, đây là tín hiệu nguy hiểm vì các công ty Trung Quốc đang phát triển quá nhanh.
Theo quan điểm của họ, mặc dù rào cản kỹ thuật NAND tương đối thấp nhưng tiến độ của các nhà sản xuất Trung Quốc vẫn vượt quá mong đợi bên ngoài. Các công ty Hàn Quốc vẫn duy trì khoảng cách công nghệ hơn 5 năm trong lĩnh vực DRAM nhưng họ nên cẩn thận hơn nếu bị vượt mặt.
Thông tin trước đây do Tòa án quận Bắc California của Hoa Kỳ công bố cho thấy vào ngày 9 tháng 11, Yangtze Memory đã kiện Micron Technology và công ty con thuộc sở hữu hoàn toàn của Micron Consumer Products Group Co., Ltd. vì vi phạm các bằng sáng chế của họ tại Hoa Kỳ.
Yangtze Memory được đề cập trong cáo trạng rằng Micron đã sử dụng công nghệ đã được cấp bằng sáng chế của Yangtze Memory để chống lại sự cạnh tranh từ Yangtze Memory, đồng thời giành và bảo vệ thị phần.
Điều này cũng trực tiếp chứng tỏ sự tiến bộ nhanh chóng của các nhà sản xuất Trung Quốc trong lĩnh vực bộ nhớ flash NAND.